Il colosso sudcoreano Samsung ha reso noto che lo sviluppo dei chip di memoria GDDR7 è stato completato. Le unità Graphics Double Data Rate 7 garantiscono prestazioni migliori delle GDDR6 e verranno impiegate nella produzione delle schede video di prossima generazione nonché in mercati fortemente orientati al segmento consumer con quello dell’automotive.
Nello specifico Samsung avrebbe realizzato dei Chip da 16 GB con una larghezza di banda per pin superiore di circa 1.4 volte quella possibile con le componenti GDDR6 le cui specifiche vennero rilasciate per la prima volta nel luglio del 2017. Parliamo di 32 Gbps per pin che complessivamente portano ad una larghezza di banda da 1.5 TBps.
A determinare le maggiori performance delle memoria GDDR7 vi è la tecnologia PAM-3 (Pulse Amplitude Modulation-3) che prende il posto della NRZ (Non Return to Zero) sfruttata dalle attuali GDDR6. PAM-3 ha infatti il vantaggio di utilizzare tre diversi livelli di segnale permettendo di veicolare ben il 50% di informazioni in più nel medesimo ciclo.
Samsung Develops Industry’s First GDDR7 DRAM To Unlock the Next Generation of Graphics Performancehttps://t.co/MbiiEv8vLX
— Samsung Electronics (@Samsung) July 19, 2023
Una delle caratteristiche dello standard GDDR6 riguarda la sua capacità di offrire una maggiore larghezza di banda con un voltaggio operativo molto contenuto rispetto al precedente GDDR5X, 1.35 Volt. Nel caso del GDDR7 questo valore è stato portato a 1.2 Volt con benefici facilmente comprensibili dal punto di vista dell’efficienza energetica.
I test operati nei laboratori di Samsung avrebbero evidenziato come in alcuni casi il voltaggio operativo possa essere ancora superiore, scendendo a 1.1 Volt. Di base quindi GDDR7 potrebbe garantire una maggiore efficienza rispetto al GDDR6, intorno ai 20 punti percentuali, ma in alcuni dispositivi come i laptpot essa potrebbe essere persino più elevata.
